RS20N50F - это N-канальный транзистор с полевым эффектом power MOS, который производится с использованием запатентованной HV_MOS технологии Reasunos. Улучшенный процесс и структура ячейки были специально разработаны для минимизации сопротивления в состоянии, обеспечения превосходных характеристик переключения и выдерживания импульсов высокой энергии в лавинном и коммутационном режиме. Эти устройства широко используются в SMPS, адаптере и светодиодном приводе.
VDS = 500 В, ID = 20A
РДС(ВКЛ.)
Высокоимпульсовый лавинный энгергий
Низкое сопротивление слива к источнику
Высокий УИС и 100% тест UIS
Устройство | Тип | размер | Миниатюру | Скачать документ спецификации |
---|---|---|---|---|
РС20Н50Ф | 2,000 | 2022.03.06 | RS20N50F TO-220F SPEC_EN A2 |
Email:oversea@reasunos.com Мобильный:+8618825898464
Скайп:8618825898464