oversea@reasunos.com
Все
Новости
Продукт

Продуктовый центр

РС60Н50Д
РН МОП-транзистор

RS60N50D - это N-канальный транзистор с полевым эффектом power MOS, который производится с использованием технологии Reasunos LVMOS. Улучшенный процесс и структура ячейки были специально адаптированы к низкому сопротивлению слива к источнику, обеспечивают превосходную производительность переключения и высокую лавинообразную энгергию. Это устройство широко используется в управлении питанием, синхронном выпрямлении и приводе двигателя.


Основные характеристики
    • VDS = 60 В, ID = 50A

    • РДС(ВКЛ.) Ω@ VGS = 10В

    • РДС(ВКЛ.) Ω@ VGS = 4,5 В

    • Низкое сопротивление слива к источнику

    • Высокий УИС и 100% тест UIS


Техническая документация
Устройство Тип размер Миниатюру Скачать документ спецификации
РС60Н50Д .PDF 2,000 2022.03.06 RS60N50D TO-252 SPEC_EN A0
用户验证码登录
发送验证码
验证码错误,请重新输入!
登录
Контакт

Email:oversea@reasunos.com Мобильный:+8618825898464

Skype

Скайп:8618825898464

Совещаться
ВВЕРХ