RS60N50D - это N-канальный транзистор с полевым эффектом power MOS, который производится с использованием технологии Reasunos LVMOS. Улучшенный процесс и структура ячейки были специально адаптированы к низкому сопротивлению слива к источнику, обеспечивают превосходную производительность переключения и высокую лавинообразную энгергию. Это устройство широко используется в управлении питанием, синхронном выпрямлении и приводе двигателя.
VDS = 60 В, ID = 50A
РДС(ВКЛ.) Ω@ VGS = 10В
РДС(ВКЛ.) Ω@ VGS = 4,5 В
Низкое сопротивление слива к источнику
Высокий УИС и 100% тест UIS
Устройство | Тип | размер | Миниатюру | Скачать документ спецификации |
---|---|---|---|---|
РС60Н50Д | 2,000 | 2022.03.06 | RS60N50D TO-252 SPEC_EN A0 |
Email:oversea@reasunos.com Мобильный:+8618825898464
Скайп:8618825898464